رسته‌ها

مروری بر ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله

مروری بر ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله
امتیاز دهید
5 / 3
با 1 رای
امتیاز دهید
5 / 3
با 1 رای
پیشگفتار:
در دهه های اخیر پیشرفتهای چشمگیر در فناوری نانو، افقهای جدیدی را در حوزه الکترونیک گشوده است. ترانزیستورهای اثر میدان مبتنی بر نانولوله های کربنی (CNFET) به عنوان یکی از نوآورانه ترین دستاوردهای نانوالکترونیک پتانسیل جایگزینی ترانزیستورهای سیلیکونی سنتی را دارند. این ترانزیستورها، با بهره گیری از خواص منحصر به فرد نانولوله های کربنی نظیر تحرک پذیری بالای حاملهای بار مصرف توان پایین و سونیچ پذیری برتر راه را برای ساخت مدارهای مجتمع با کارایی بالاتر و ابعاد کوچکتر هموار کرده اند.
این کتاب به بررسی عمیق اصول عملکرد روشهای ساخت و کاربردهای ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله های کرینی می پردازد با نگاهی به محدودیتهای فناوریهای سیلیکونی، از جمله قانون مور و چالشهای مقیاس پذیری، این اثر به تشریح چگونگی غلبه بر این موانع با استفاده از نانولوله های کربنی می پردازد. از ساختار هندسی و تنوری ایجاد جریان گرفته تا مقایسه با ترانزیستورهای سنتی مانند MOSFET، این کتاب منبعی جامع برای دانشجویان، پژوهشگران و مهندسان علاقه مند به آینده الکترونیک فراهم می آورد.
بیشتر
اطلاعات نسخه الکترونیکی
فرمت:
PDF
تعداد صفحات:
114
آپلود شده توسط:
YounesNahavandi
YounesNahavandi
1404/05/18
برای درج دیدگاه لطفاً به حساب کاربری خود وارد شوید.

دیدگاه‌های کتاب الکترونیکی مروری بر ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله

تعداد دیدگاه‌ها:
0
دیدگاهی درج نشده؛ شما نخستین نگارنده باشید.
مروری بر ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله
عضو نیستید؟
ثبت نام در کتابناک